โปร่งใสไม่เจือความแข็ง 4H-SEMI 9.0 Sic เลนส์
รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: | ประเทศจีน |
ชื่อแบรนด์: | ZMKJ |
หมายเลขรุ่น: | เลนส์ sic รูปร่าง customzied |
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 1pcs |
---|---|
ราคา: | by case |
รายละเอียดการบรรจุ: | แพคเกจเวเฟอร์เดียวในห้องทำความสะอาด 100 เกรด |
เวลาการส่งมอบ: | 1-6weeks |
เงื่อนไขการชำระเงิน: | T / T, Wester N Union, MoneyGram |
สามารถในการผลิต: | 1-50pcs / เดือน |
ข้อมูลรายละเอียด |
|||
วัสดุ: | SiC ผลึกเดี่ยว | ความแข็ง: | 9.0 |
---|---|---|---|
รูปร่าง: | กำหนดเอง | ความอดทน: | ±0.05mm |
แอปพลิเคชัน: | เลนส์ออปติคอล | พิมพ์: | 4h-กึ่ง |
เส้นผ่านศูนย์กลาง: | กำหนดเอง | ความต้านทาน: | >1E8 |
สี: | โปร่งใส | ||
แสงสูง: | ความแข็ง 9.0 Sic Lens,เลนส์ 4H-SEMI Sic,เลนส์ SiC Single Crystal Optical |
รายละเอียดสินค้า
2 นิ้ว/3 นิ้ว/4 นิ้ว/6 นิ้ว 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC แท่ง/ความบริสุทธิ์สูง 4H-N 4 นิ้ว 6 นิ้ว dia 150 มม. ซิลิคอนคาร์ไบด์เดี่ยวคริสตัล (sic) พื้นผิวเวเฟอร์,
เลนส์ sic รูปร่างกำหนดเองที่มีความบริสุทธิ์สูง 4H-SEMI ที่ไม่มีการเจือปน Hardness9.0
เกี่ยวกับซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC)Crystal
คุณสมบัติ | 4H-SiC, ผลึกเดี่ยว | 6H-SiC, ผลึกเดี่ยว |
พารามิเตอร์ตาข่าย | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
ลำดับการซ้อน | ABCB | ABCACB |
ความแข็ง Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
ความหนาแน่น | 3.21 ก./ซม.3 | 3.21 ก./ซม.3 |
เทอร์ม.ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัว | 4-5×10-6/พัน | 4-5×10-6/พัน |
ดัชนีหักเหที่ 750nm |
ไม่ = 2.61 เน = 2.66 |
ไม่ = 2.60 เน = 2.65 |
ค่าคงที่ไดอิเล็กตริก | ค~9.66 | ค~9.66 |
ค่าการนำความร้อน (ชนิด N, 0.02 โอห์ม.ซม.) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 วัตต์/ซม.·K@298K |
|
การนำความร้อน (กึ่งฉนวน) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 วัตต์/ซม.·K@298K |
Band-gap | 3.23 eV | 3.02 eV |
สนามไฟฟ้าพังทลาย | 3-5×106V/ซม. | 3-5×106V/ซม. |
ความเร็วของความอิ่มตัวของความอิ่มตัว | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
การประยุกต์ใช้ SiC ในอุตสาหกรรมอุปกรณ์ไฟฟ้า
เมื่อเทียบกับอุปกรณ์ซิลิกอน อุปกรณ์ไฟฟ้าซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) สามารถบรรลุประสิทธิภาพการย่อขนาดและน้ำหนักเบาของระบบอิเล็กทรอนิกส์กำลังได้อย่างมีประสิทธิภาพการสูญเสียพลังงานของอุปกรณ์ไฟฟ้า SiC มีเพียง 50% ของอุปกรณ์ Si และการสร้างความร้อนเป็นเพียง 50% ของอุปกรณ์ซิลิกอน SiC ยังมีความหนาแน่นกระแสไฟที่สูงขึ้นที่ระดับพลังงานเดียวกัน ปริมาตรของโมดูลพลังงาน SiC นั้นเล็กกว่าโมดูลพลังงานซิลิคอนอย่างมากยกตัวอย่าง IPM โมดูลพลังงานอัจฉริยะโดยใช้อุปกรณ์จ่ายไฟ SiC ระดับเสียงของโมดูลจะลดลงเหลือ 1/3 ถึง 2/3 ของโมดูลพลังงานซิลิคอน
ไดโอดพลังงาน SiC มีสามประเภท: ไดโอด Schottky (SBD), ไดโอด PIN และไดโอด Schottky ควบคุมสิ่งกีดขวางทางแยก (JBS)เนื่องจากสิ่งกีดขวาง Schottky SBD มีความสูงของสิ่งกีดขวางทางแยกที่ต่ำกว่า ดังนั้น SBD จึงมีข้อได้เปรียบของแรงดันไฟไปข้างหน้าต่ำการเกิดขึ้นของ SiC SBD ได้ขยายช่วงการใช้งานของ SBD จาก 250V เป็น 1200Vนอกจากนี้ ลักษณะของมันที่อุณหภูมิสูงนั้นดี กระแสไฟรั่วย้อนกลับไม่เพิ่มขึ้นจากอุณหภูมิห้องเป็น 175 ° C ในด้านการใช้งานของวงจรเรียงกระแสที่สูงกว่า 3kV ไดโอด SiC PiN และ SiC JBS ได้รับความสนใจอย่างมากเนื่องจากแรงดันพังทลายที่สูงขึ้น , ความเร็วในการเปลี่ยนที่เร็วกว่า, ขนาดที่เล็กกว่าและน้ำหนักเบากว่าวงจรเรียงกระแสแบบซิลิกอน
อุปกรณ์ MOSFET แบบ SiC มีความต้านทานเกตที่เหมาะสม ประสิทธิภาพการสลับความเร็วสูง ความต้านทานออนต่ำ และความเสถียรสูงเป็นอุปกรณ์ที่ต้องการในด้านอุปกรณ์ไฟฟ้าที่ต่ำกว่า 300Vมีรายงานว่า MOSFET ซิลิกอนคาร์ไบด์ที่มีแรงดันบล็อก 10kV ได้รับการพัฒนาเรียบร้อยแล้วนักวิจัยเชื่อว่า SiC MOSFET จะครอบครองตำแหน่งที่ได้เปรียบในด้าน 3kV - 5kV
SiC Insulated Gate Bipolar Transistor (SiC BJT, SiC IGBT) และ SiC Thyristor (SiC Thyristor) อุปกรณ์ IGBT SiC P-type ที่มีแรงดันบล็อก 12 kV มีความสามารถในกระแสไฟไปข้างหน้าได้ดีเมื่อเปรียบเทียบกับทรานซิสเตอร์สองขั้ว Si ทรานซิสเตอร์สองขั้ว SiC มีการสูญเสียการสวิตชิ่งที่ต่ำกว่า 20-50 เท่าและแรงดันไฟเมื่อเปิดเครื่องลดลงSiC BJT ส่วนใหญ่แบ่งออกเป็น BJT ของ epitaxial emitter และตัวปล่อยการฝังไอออน BJT อัตราขยายปัจจุบันโดยทั่วไปอยู่ระหว่าง 10-50
คุณสมบัติ | หน่วย | ซิลิคอน | SiC | กาน |
ความกว้างของ Bandgap | eV | 1.12 | 3.26 | 3.41 |
เขตข้อมูลรายละเอียด | MV/ซม. | 0.23 | 2.2 | 3.3 |
การเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอน | cm^2/Vs | 1400 | 950 | 1500 |
ดริฟท์ valocity | 10^7 ซม./วินาที | 1 | 2.7 | 2.5 |
การนำความร้อน | W/cmK | 1.5 | 3.8 | 1.3 |
เกี่ยวกับบริษัท ZMKJ
ZMKJ สามารถจัดหาแผ่นเวเฟอร์ SiC ผลึกเดี่ยวคุณภาพสูง (ซิลิคอนคาร์ไบด์) ให้กับอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์และออปโตอิเล็กทรอนิกส์เวเฟอร์ SiC เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์รุ่นต่อไป โดยมีคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่เป็นเอกลักษณ์และมีคุณสมบัติทางความร้อนที่ดีเยี่ยม เมื่อเทียบกับซิลิคอนเวเฟอร์และเวเฟอร์ GaAs เวเฟอร์ SiC นั้นเหมาะสำหรับการใช้งานอุปกรณ์ที่มีอุณหภูมิสูงและกำลังสูงSiC wafer มีจำหน่ายในขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง 2-6 นิ้ว มีทั้ง SiC 4H และ 6H SiC ชนิด N ไนโตรเจนเจือ และชนิดกึ่งฉนวนโปรดติดต่อเราเพื่อขอข้อมูลผลิตภัณฑ์เพิ่มเติม
คำถามที่พบบ่อย:
ถาม: วิธีการจัดส่งและต้นทุนคืออะไร?
A:(1) เรายอมรับ DHL, Fedex, EMS ฯลฯ
(2) ได้ ถ้าคุณมีบัญชีด่วนของคุณเอง หากไม่มี เราสามารถช่วยคุณจัดส่งและ
ค่าระวางคือiน ตามข้อตกลงจริง
ถาม: วิธีการชำระเงิน
A: T/T 100% เงินฝากก่อนส่งมอบ
ถาม: MOQ ของคุณคืออะไร
A: (1) สำหรับสินค้าคงคลัง ขั้นต่ำคือ 1 ชิ้นถ้า 2-5 ชิ้นจะดีกว่า
(2) สำหรับผลิตภัณฑ์ commen ที่กำหนดเอง ขั้นต่ำคือ 10 ชิ้นขึ้นไป
ถาม: เวลาในการจัดส่งคืออะไร?
A: (1) สำหรับสินค้ามาตรฐาน
สำหรับสินค้าคงคลัง: การจัดส่งคือ 5 วันทำการหลังจากที่คุณสั่งซื้อ
สำหรับผลิตภัณฑ์ที่กำหนดเอง: การจัดส่งภายใน 2 -4 สัปดาห์หลังจากที่คุณสั่งซื้อติดต่อ
ถาม: คุณมีผลิตภัณฑ์มาตรฐานหรือไม่?
ตอบ: ผลิตภัณฑ์มาตรฐานของเราในสต็อกเช่นเดียวกับพื้นผิว 4 นิ้ว 0.35 มม.