 |
6 นิ้ว 8 นิ้ว SIO2 ซิลิคอนไดออกไซด์ หนา 10um-25um ผิว Micromachining
รายละเอียดสินค้า:
| สถานที่กำเนิด: | China |
| ชื่อแบรนด์: | ZMSH |
| หมายเลขรุ่น: | Ultra-thick silicon oxide wafer |
การชำระเงิน:
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 5 |
|---|---|
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | T/T |
|
ข้อมูลรายละเอียด |
|||
| พื้นที่ใช้งาน: | การผลิตเซมิคอนดักเตอร์ ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ อุปกรณ์เกี่ยวกับแสง ฯลฯ | ความเหมือนกันในระนาบและระหว่างระนาบ:: | ± 0,5% |
|---|---|---|---|
| ความอดทนความหนาของออกไซด์: | +/- 5% (ทั้งสองข้าง) | จุดละลาย: | 1,600° C (2,912° F) |
| ความหนาแน่น: | 2533 กิโลกรัม/ม-3 | ความหนา: | 20um、10um-25um |
| ดัชนีการหักเหของแสง: | ประมาณ 144 | ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัว: | 0.5 × 10^-6/°C |
| แสงสูง: | SIO2 ซิลิคอนไดออกไซด์,6 นิ้ว ซิลิคอนไดออกไซด์โอฟเฟอร์,เครื่องแปรรูปขนาดเล็ก SIO2 |
||
รายละเอียดสินค้า
6 นิ้ว 8 นิ้ว SIO2 ซิลิคอนไดออกไซด์แผ่นผงความหนา 20um 10um-25um สับสราตคริสตัล
คําอธิบายสินค้า:
วอฟเฟอร์ซิลิคอนไดออกไซด์ SIO2 ที่มีความสําคัญในการผลิตครึ่งประสาท มีความหนาตั้งแต่ 10μm ถึง 25μm และมีในขนาดกว้าง 6 นิ้วและ 8 นิ้วรับใช้เป็นชั้นกันหนาวที่สําคัญ, มันมีบทบาทสําคัญในไมโครอิเล็กทรอนิกส์ โดยมีความแข็งแรงทางไฟฟ้าสูงโวฟเฟอร์นี้ทําให้การทํางานได้ดีที่สุดในหลายๆ การใช้งานการเป็นแบบเดียวกันและความบริสุทธิ์ของมันทําให้มันเป็นตัวเลือกที่ดีสําหรับอุปกรณ์ออทคอล, วงจรบูรณาการ, และไมโครเอเลคทรอนิกส์อํานวยความสะดวกในการผลิตอุปกรณ์ที่แม่นยําความหลากหลายของมันขยายไปยังการสนับสนุนความก้าวหน้าในสาขาเทคโนโลยีรับประกันความน่าเชื่อถือและความสามารถในการใช้งานทั่วสายการใช้งานในอุตสาหกรรมการผลิตครึ่งตัวนําและอุตสาหกรรมที่เกี่ยวข้อง.
สินค้าที่คาดหวัง:
วาฟเฟอร์ซิลิคอนไดออกไซด์ มีการใช้งานที่กว้างขวางในด้านเทคโนโลยีและวิทยาศาสตร์ โดยมีบทบาทสําคัญในการผลิตครึ่งตัวนําแสงและเทคโนโลยีเซ็นเซอร์ด้วยความก้าวหน้าในเทคโนโลยีและความต้องการที่เติบโต ความคาดหวังในการพัฒนาสําหรับ SiO2 วอฟเฟอร์ยังคงเป็นที่หวังมาก
การค้นหาเครื่องมืออิเล็กทรอนิกส์ที่เล็กกว่า เร็วขึ้นและประหยัดพลังงานมากขึ้นเป็นองค์ประกอบสําคัญในภูมิทัศน์นี้, มีโอกาสได้รับการปรับปรุงและปรับปรุงอย่างต่อเนื่องโดยการนํามาใช้วัสดุ, กระบวนการและการออกแบบใหม่ ๆ เพื่อตอบสนองความต้องการของตลาดที่ขยายตลาด
โดยหลักแล้ว ซีโอ 2 วอฟเฟอร์ยังคงมีอนาคตในการพัฒนาที่กว้างใหญ่ในวงการครึ่งตัวนําและไมโครเอเล็คทรอนิกส์ โดยยังคงมีบทบาทสําคัญในอุตสาหกรรมเทคโนโลยีสูงต่าง ๆ
ลักษณะ:
- ชื่อสินค้า:สารสับสราทครึ่งตัวนํา
- คออฟชั่นการขยายตัว:0.5 × 10^-6/°C
- พื้นที่ใช้งาน:การผลิตครึ่งตัวนํา เครื่องอิเล็กทรอนิกส์ขนาดเล็ก เครื่องออปติกส์ ฯลฯ
- น้ําหนักโมเลกุล:60.09
- ความสามารถในการนําความร้อน:ประมาณ 1.4 W/(m·K) @ 300K
- จุดละลาย:1,600° C (2,912° F)
- ผงซิลิคอนอ๊อกไซด์:ใช้ในการผลิตอุปกรณ์ไมโครเอเล็คทรอนิกส์และสําหรับการออกซิเดนผิว
- เทคโนโลยีหนังบาง:ใช้ในการผลิตอุปกรณ์ครึ่งตัวนําแสง, เซลล์แสงอาทิตย์ เป็นต้น
ปริมาตรเทคนิค:
| ปริมาตร | มูลค่า |
|---|---|
| จุดต้ม | 2,230 ° C (4,046 ° F) |
| การเรียนรู้ | <100><11><110> |
| ความอดทนความหนาของออกไซด์ | ± 5% (ทั้งสองข้าง) |
| ความเหมือนกันในระนาบและระหว่างระนาบ | ± 0.5% |
| อัตราการหด | 550nm ของ 1.4458 ± 0.0001 |
| ความหนา | 20mm 10mm 25mm |
| ความหนาแน่น | 2533 กิโลกรัม/ม-3 |
| น้ําหนักโมเลกุล | 60.09 |
| คออฟชั่นของการขยาย | 0.5 × 10^-6/°C |
| จุดละลาย | 1,600° C (2,912° F) |
| การใช้งาน | เทคโนโลยีแผ่นบาง โซลิกอนโอไซด์วอฟเฟอร์ เทคโนโลยีสับสราท |
การใช้งาน:
- เครื่องวงจรบูรณาการ:อุปกรณ์สําคัญสําหรับการผลิตครึ่งตัวนํา
- เครื่องอิเล็กทรอนิกส์ขนาดเล็ก:สําคัญสําหรับการผลิตอุปกรณ์ไมโครเอเล็คทรอนิกส์
- การเคลือบแสง:ใช้ในการใช้งานในออฟติกส์ thin-film
- ทรานซิสเตอร์หนังบาง:ใช้ในการผลิตเครื่อง TFT
- โซลาร์เซลล์:ใช้เป็นพื้นฐานหรือชั้นกันแสงในเทคโนโลยีไฟฟ้าไฟฟ้า
- MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) ระบบที่ใช้ไฟฟ้าขนาดเล็กสําคัญสําหรับการพัฒนาอุปกรณ์ MEMS
- เครื่องตรวจจับสารเคมี:ใช้สําหรับการตรวจจับสารเคมีที่ nhạy cảm
- อุปกรณ์ทางการแพทย์ชีวภาพใช้ในสาขาชีววิทยาต่างๆ
- พลังงานไฟฟ้าไฟฟ้า:รองรับเทคโนโลยีเซลล์แสงอาทิตย์เพื่อการแปลงพลังงาน
- การปรับปรุงผิว:เครื่องช่วยในการปกป้องพื้นผิวของครึ่งตัวนํา
การปรับแต่ง:
ซีเอ็มเอสเอชให้บริการที่กําหนดเองสําหรับเซมคอนดักเตอร์ สับสราท ผลิตภัณฑ์เซมคอนดักเตอร์ สับสราทของเราทําจากวัสดุเซมคอนดักเตอร์ที่มีคุณภาพสูงสุดและซิลิคอนโอไซด์ชื่อแบรนด์ของเราคือ ZMSH, และหมายเลขรุ่นของเราคือวอฟเฟอร์ซิลิคอนอ๊อกไซด์ ultra-thick. Our Place of Origin is China, with a Coefficient of Expansion of 0.5 × 10^-6/°C. เราใช้กระบวนการ Czochralski (CZ) สําหรับการเติบโตของวอฟเฟอร์,และแนวทางคือ <100><11><110>นอกจากนี้ ความเท่าเทียมกันในระนาบและระหว่างระนาบของเราคือ ± 0.5% และจุดเดือดคือ 2,230 ° C (4,046 ° F).
การสนับสนุนและบริการ:
บริษัทของเราให้การสนับสนุนทางเทคนิคและบริการ สําหรับผลิตภัณฑ์ Semiconductor Substrate ทีมงานของเราของวิศวกรและเทคนิคที่มีประสบการณ์การแก้ไขปัญหาและบํารุงรักษาสินค้าเหล่านี้. เราให้บริการมากมาย ตั้งแต่การสนับสนุนในสถานที่ถึงการช่วยเหลือทางไกล เรายังให้การฝึกอบรมและสัมมนาเพื่อช่วยลูกค้าของเราใช้สินค้าอย่างถูกต้องและได้รับผลประโยชน์มากที่สุดจากมันเราพยายามรักษามาตรฐานคุณภาพสูงสุด เพื่อให้ลูกค้าของเราได้รับบริการที่ดีที่สุดหากคุณมีคําถามหรือความกังวลใด ๆ กรุณาอย่าลังเลที่จะติดต่อเรา
การบรรจุและการขนส่ง
การบรรจุและการจัดส่งเซมิคอนดักเตอร์สับสราท:
สับสราทครึ่งตัวนําต้องบรรจุและส่งอย่างรอบคอบ เพื่อป้องกันความเสียหายและการติดเชื้อ สับสราทควรวางบนผ้าอ้อมกันสภาพสภาพและบรรจุในแผ่นปกป้องกล่องภัณฑ์ต้องติดป้ายเตือนที่ระบุว่าเนื้อหาเป็นองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่รู้สึกไว. ภัณฑ์ควรปิดด้วยเทปและวางในกล่องกระดาษแข็งแรง.
กล่องนี้ควรถูกระบุด้วยข้อมูลการขนส่งที่เหมาะสม และสัญลักษณ์ "อ่อนแอ" เพื่อให้แน่ใจว่าพัสดุถูกจัดการด้วยความรอบคอบจากนั้นมันควรถูกใส่ในถังการขนส่งที่ป้องกันและส่งผ่านผู้ขนส่งสินค้าที่เชื่อถือได้.
FAQ:
ตอบ: สารสับสราทครึ่งประสาท คือวัสดุบางๆ โดยทั่วไปเป็นครึ่งประสาทเช่นซิลิคอน ซึ่งใช้สร้างวงจรบูรณาการหรือองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์อื่นๆ
ตอบ: สับสราทครึ่งตัวของเราคือ ZMSH
ตอบ: เลขรุ่นของซับสไตต์ครึ่งประสาทของเราคือ ซิลิคอนออกไซด์ ultra-thick wafer
ตอบ: สับสราทครึ่งประสาทของเรามาจากจีน
A: เป้าหมายหลักของ Substrate Semiconductor คือการให้พื้นฐานในการสร้างวงจรบูรณาการและองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ